7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)優(yōu)化研究

【概要描述】用正交試驗(yàn)法,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。

分類：行業(yè)動(dòng)態(tài)
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發(fā)布時(shí)間：2023-08-09 10:21
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用正交試驗(yàn)法,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察;利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。結(jié)果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率,影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。

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